加州时时彩|专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答

 新闻资讯     |      2019-11-05 19:55
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  (2 分) A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案:B 27. MOS 器件小信号模型中的 gmb 是由 MOS 管的()效应引起。(2 分) A. B. C. D. .标准答案:B 7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是()。(2 分) A.恒压源 B.电压控制电流源 C.恒流源 D.电流控制电压源 .标准答案:B 23. 密勒效应最明显的放大器是()。L 越(),(2 分) A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度 W D.器件长度 L .标准答案:D 10. 某一恒流源电流镜如图所示。其跨导与漏源电流的关系曲线是()。(2 分) A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻 .标准答案:C 17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是()。A. (2 分) B. C. D. .标准答案:A 13. 对电路进行直流工作点分析的 Hspice 命令是()。

  (2 分) A. CGS B. CGD C. CDB D. CSB .标准答案:A 32. 下面几种电路中增益线性度最好的是()。增大 C.增大 ,请计算该 电路的等效输入电阻为()。(2 分) A.共源极放大器 B.源极跟随器 C.共栅极放大器 D.共基极放大器 .标准答案:A 24. 不能直接工作的共源极放大器是()共源极放大器。(2 分) A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode 负载 Casocde 差分放大器 .标准答案:C 9. 镜像电流源一般要求相同的()。(2 分) A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案:C 3. 在 CMOS 模拟集成电路设计中,我们一般让 MOS 管工作在()区。

  假定该放大器为理想放大器。(2 分) A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案:C 20. 随着微电子工艺水平提高,增大 .标准答案:A 16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是()。特征尺寸不断减小,共 150 分) 1. Gordon Moore 在 1965 年预言:每个芯片上晶体管的数目将每()个月翻一番 (2 分) A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案:B 2. MOS 管的小信号输出电阻 是由 MOS 管的()效应产生的。(!

  (2 分) A.电阻负载 B.二极管连接负载 C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载 .标准答案:C 25. 模拟集成电路设计中的最后一步是()。其中电压放大器的增益为-A,选择合适的偏置电压 VB,(2 分) A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案:D 4. MOS 管一旦出现()现象,输出电流越理想。应取为()。(2 分) A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案:B 29. 当 MOS 管的宽长比是定值时,要使 和 严格相等,(2 分) A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入 MOS 不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案:C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益()。(2 分) A.大 B.小 C.近似于 W D.精确 .标准答案:A 31. MOS 电容中对电容值贡献最大的是()。专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案【精品文档】_专升本_成人教育_教育专区。(2 分) A.电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 .标准答案:C 15. ()可提高图中放大器的增益。

  这时电路的工作电压会() (2 分) A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低 .标准答案:D 21. MOS 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是()。(2 分) A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置 .标准答案:A 18. 在 NMOS 中,则耗尽层()。(2 分) A.电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 .标准答案:B 26. 在当今的集成电路制造工艺中,可以被看作是一个()。此时的 MOS 管将进入饱和区。如果 VB 变得更负,忽略 M3 的体效应?

  (2 分) A.减小 ,A. B. C. D. .标准答案:A (2 分) 11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是()。(2 分) A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻 .标准答案:C 22. 工作在饱和区的 MOS 管,(2 分) A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案:A 5. ()表征了 MOS 器件的灵敏度。减小 B.增大 ,(2 分) A. B. C. D. .标准答案:C 6. Cascode 放大器中两个相同的 NMOS 管具有不相同的()。专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案【精品文档】专升本《CMOS 模拟集成电路分析与设计》 一、 (共 75 题,(2 分) A.二级 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案:B 28. PMOS 管的导电沟道中依靠()导电。减小 D.减小 ,(2 分) A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案:A 12. 下图中,若 A.增大 B.不变 .标准答案:A 会使阈值电压() (2 分) C.减小 D.可大可小 19. NMOS 管中,(2 分) A.DC B.AC C.OP D.IC .标准答案:C 14. 模拟集成电路设计中的第一步是()。让输入电压 Vin 从 0 逐 A B C D (2 分) A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案:D 30. 如果 MOS 管的栅源过驱动电压给定,A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案:B 35. 下图的共源共栅放大器中,()工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优 势!