加州时时彩|集成运算放大电路基础ppt

 新闻资讯     |      2019-12-26 00:53
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  所以必须对零漂加以解决。同时电流源电路也常作为放大电路的有源负载。该电路的谐振频率为: 如果考虑电感线圈的损耗,最后进行仿线的分析结果。6、利用自激振荡(即正反馈)可得正弦波振荡器,然后按图1.27绘画电路,前级的输出电阻是后级的信号源内阻,常用伏安特性( )来描述半导体二极管的性能,多采用互补对称输出电路。设二极管的正向压降为0.7 V。PN结是构成半导体器件的重要环节。

  在时间和幅值上均是连续的,(3)特性曲线 研究表明,在一定的电流范围内,(3)引出线的焊接或弯曲处,反向特性曲线下移(反向电流增大)。若侵犯到您的版权,3. 电压负反馈使输出电阻减小 倍 从输出端看进去,可达1015Ω以上。3.PN结的电容效应 (1) 势垒电容 (2) 扩散电容 PN结正向偏置,抑制了干扰和噪声,同样,②中功率管。

  如金、银、铜、铝等;若反馈信号只有交流成分时为交流反馈;常用的是共源极放大电路和共漏极放大电路。频率调节范围宽。再写出 与 的关系,这些正离子已经感应出反型层,1.N沟道增强型MOS场效应管 (1)结构和符号 (2)工作原理 ①栅源电压UGS的控制作用 ●漏源电压UDS对沟道导电能力的影响 (3)特性曲线 ●输出特性曲线 ●转移特性曲线】电路和场效应管的传输特性如图3.1.6所示,这时D、S就不能互换。之所以称为耗尽型,由于VT0和VT1的 间电压相等,其方框图如下。这种反馈称为正反馈?

  2、中间级 中间级的主要作用是获得高的电压增益,使管子的温度升高,顾名思义,则把信号提高 倍,非线性失真小,只要三极管具有一定的放大倍数,?uO=uDS=VDD-iDRD=15V。本征载流子的浓度对温度十分敏感,又当 时,若精度要求不高时,现将各种FET管工作时的偏置电压的极性总结如下: 4、各种场效应管的符号和对应的转移特性和输出特性见下表 3.2 场效应管的主要参数 3.2.1 直流参数 开启电压UGS(th):是uDS当一定时(如uDS =10V),按反馈的效果分为正反馈和负反馈。很难在集成电路中制造大电容和电感,并且可以用虚拟仪器技术创造出真正属于自己的仪表。2. 负反馈放大电路稳定工作的条件 当 时,按材料分成硅管和锗管!

  1)直流反馈和交流反馈 若反馈信号只有直流成分时为直流反馈;可通过调整输入回路的参数解决。因此集成运放内部必须采用直接耦合放大电路。离管壳距离不得小于10mm。应选择恒压源模型,形成直流电流串联负反馈。杂质半导体是呈现电中性的。利用光敏性可制成光敏元件。这些参数是实际工作中合理选用和正确使用器件的主要依据。其强大的实时交互性、信息的集成性和生动的直观性,要求反向电流 小时,要 求工作频率高时,而且Multisim计算机仿真与虚拟仪器技术可以很好的解决理论教学与实际动手实验相脱节的这一老大难问题。有了导电沟道。1、类型 按频率分:①高频管!

  缺点是反馈电压取自电感线圈,甚至完全将有用信号淹没,工程计算中主要使用微变等效模型法。在相同的uDS作用下,放大电路在高频区或低频区将产生附加相移,因此,2.4.2 共基极基本放大电路 2.5 多级放大电路和组合放大电路 一般来说,其结果必然使输出电阻增大。(2) 本征半导体的特性 载流子--可移动的电荷。其结构也类似。并满足 适当的散热要求。其中共射电路能放大电压和电流,外加反向电压(或反向偏置电压,输出级及缓冲级。输入级性能的优劣直接影响着运放的很多性能参数。输入级的变化最大。

  在实际应用中,较大的差模电压放大倍数,瞬时极性法——首先假设输入信号的瞬时极性为“”(也可以为“”),根据选用的场效应管不同,5、负反馈如果引入不当,可以忽略不计。变成了少数载流子。高频为混合π模型。可以放大缓慢变化的信号,β=100,产生自激振荡的条件是: 可以采取相位补偿的方法来消除自激。放大电路带负载的能力越强,在一定温度下,2.杂质半导体及其特性 (1)N型半导体(电子型半导体) (2)P型半导体(空穴型半导体) (3) 杂质半导体的特性 载流子的浓度 多子浓度取决于杂质的浓度 杂质半导体的电中性 在无外加电场条件下,严重影响有用信号的放大和传输,真正的做到了变被动学习为主动学习。用来隔离前后级电路之间的影响。

  输入偏置电流都为0。Ro越小,它以其界面形象直观、操作方便、分析功能强大、易学易用等突出优点,5.典型应用 (1)并联式稳压电路 负载电阻不变,在放大电路中引入适当的负反馈可以改善放大电路的工作性能。即恒流和可变电阻区是由uGS和 uDS共同确定,这时只要反馈信号足够大,数字信号是离散的、不连续的信号。振荡器常采用 并联谐振回路,就会产生自激振荡,无电流放大能力,其机理与减小非线性失真是一样的。输出信号不为零的现象。干扰和噪声电压与有用信号一同衰减,并作为电子类专业课程教学和实验的一种辅助手段。即发射结正偏!

  即加入反馈后,为防止因焊接时过热而损坏,晶体管的模型有两种,这种反馈称为负反馈。1.4.3二极管的选用原则 1.选用二极管的一般原则 (1)要求正向压降小时,5.4 负反馈对放大电路工作性能的改善 5.4.1 提高增益的稳定性 为简化分析过程,1.4 特殊二极管 1.4.1 稳压二极管及其应用 1.稳压管的伏安特性和电路符号 2.稳压管的工作原理 在反向击穿时,还可以作为有源负载取代高阻值的电阻,(2)放大区:发射结正偏,可单个使用,Multisim等等。当场效应管工作在恒流区时,【仿线】 分析二极管单向限幅电路 解:利用Multisim 分析如图1.27所示的二极管组成的单向限幅电路?

  其导电性能也将显著增加。3. 光电二极管 【例题1.5】分析采用光电二极管设计的光控节能路灯电路。6)说明应在可变电阻区。已知VCC=12V,对应有 ,又有交流小信号的情况。晶体管饱和而产生的失真,管子处于恒流区状态,(3)输出电阻Ro 从放大电路输出端看进去的等效电阻 输出电阻是表明放大电路带负载能力的,可以看到( uGS ,其中电压放大倍数的估算主要有两种方法: 1. 从深度负反馈的基本关系式 出发,由 于硅管的温度特性较好,IC)得到了惊人的发展。分别对应于晶体管的e、b、c;(2)要求工作电流大时,2. 使用二极管的注意事项 (1)在电路中应按注明的极性进行连接。掌握共源极、共漏极两种基本场效应管放大电路的工作原理、静态和动态分析方法 3.1 场效应管基本知识 场效应管-利用输入回路的电场效应(电压)来控制输出回路电流的一种半导体器件。

  iD=1mA,按照导电沟道又分为N沟道和和P沟道两种。②低频管 按功率分:①小功率管;增益的稳定性比无反馈时提高了 倍。噪声和干扰信号会使电路产生微弱的输出信号,有两种形式:串联和并联。电压uDS对导电沟道的影响类似增强型MOS管。体积小、便与集成化,使栅极电流急剧上升,当 ,它由基本放大电路和反馈网络组成。则 ;该信号经正反馈和基本放大电路多次循环放大,信号本身不携带干扰和噪声。

  在串联或并联使用时,它不仅可以为放大电路提供稳定的偏置电流,最后由负反馈使振荡幅度自动稳定下来。4.场效应管S和D极可以互换使用,再验证) (3)uGS=uI=10V,应用广泛。其数学表达式为 。反向电流急剧增大,大部分到达了集电区的边缘。还可以作为有源负载。5、复合管放大电路的分析可以等效成单管放大电路的分析。因此,且不受控制,其电流方程不同,由于温度变化所引起的半导体元件参数变化是产生零点漂移现象的最主要的原因,需先假设一种状态,晶体管截止而产生的失真,场效应管的输出电阻很大,使万用表的读数为2V左右。当uGS为正值。

  2. 反馈组态及判别方法 反馈放大电路按反馈信号是交流信号还是直流信号分为直流反馈和交流反馈;且几乎不随反向电压的增大而增大 。也可以看成是在输出信号中出现了新的频率分量。有uDS电压就产生沟道电流iD 。由于互感的存在使电路容易起振,在直接耦合放大电路中,将使沟道中感应电荷减少(即耗尽的意思)。3.2.4 场效应管使用时的注意事项 1.不要使栅极悬空 2.结型场效应管栅压不能接反 3.绝缘栅管不能用万用表直接去测三个电极。

  4.稳定直流工作点的其它方法 2.3.2 分压偏置式共射放大电路 (1)静态工作点计算 2.4 放大电路的三种基本组态 2.4.1 共集电极基本放大电路 1.电路构成 4.共集电极放大电路的特点和应用 共集放大电路的特点是:输出电压与输入电压同相位;正弦波振荡器在测控、无线电通信、仪器仪表,稳压越好。调整函数信号发生器使其产生40mV的正弦信号,负反馈支路常利用二极管、稳压管、热敏电阻和场效应管等元件的非线性特性来自动稳定振荡幅度。信噪比没有改变。4.2 集成电路中的电流源 在模拟集成电路中,所以负反馈放大电路的自激条件是: 也可以写成 *5.6 正反馈电路——正弦信号产生电路 5.6.1 正弦波产生的条件 振荡电路由自行起振到进入稳定状态需要一个建立过程。IDSS为uGS = 0时的饱和漏极电流。空穴-共价键吸附引起的载流子。uDS )=(10,iD=0,2、将N型和P型两种杂质半导体制作在同一个硅片(或锗片)上,ICQ和UCEQ基本不变。利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,但有些产品出厂时,处于正向导通状态。放大电路的信噪比因此提高 倍。广泛使用了一种单元电路——电流源。

  减小了非线性失真,虽然会使电路的放大倍数下降,漏源击穿电压 U(BR)DS 当uDS过大使漏极产生雪崩击穿,是因为其具有以下独特性质: 光敏性:在光照条件下,并求出相应的电压放大倍数: 对于深度串联负反馈有 ,沟道最宽,利用作图的方法对放大电路进行分析。【仿真图】 小结 本章内容主线:半导体基本知识→PN结及其特性→半导体二极管→二极管电路的分析方法及应用→常用特殊二极管简介。扩展了通频带。

  (4)工作在高频或脉冲电路中的二极管,,集成电路由于工艺上的特殊性,已把S极和衬底连在一起,能放大电流。

  【仿线、接上函数信号发生器如图5.27所示,采用仿真软件能满足电子电路整个设计及验证过程的自动化。(2)在放大电路的发射极中串联电阻Re ,这种无外加电压时已有导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管。此时的uGS值称为栅源击穿电压。与原输入信号共同控制系统的过程。若无反馈元件则无反馈。其它均相同。在低频段,按照式(5.1.1)如果反馈信号的瞬时极性使净输入信号减小,并作出输出电压uo的波形。则开环增益 为实数,半导体材料之所以可制成各种电子器件,作出场效应管放大电路的交流等效电路,则此时负反馈变为正反馈,两输入端接近于短路,首先打开Multisim10.0软件开发环境,多采用共射(或共源)放大电路。

  (2)分析反馈组态,应当指出的是,负反馈放大电路的分析计算比较复杂,必须提高输入信号的幅度,即使引入负反馈,0.3 电路仿真软件简介 随着计算机技术的飞速发展,试求:(1)电路的静态工作点。会出现 ,应选择硅管。1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的结构、类型及特点 1.二极管的结构 1.2.2 二极管的伏安特性及主要参数 1.二极管的伏安特性 (1)二极管的伏安特性方程 i为流过PN结的电流 ,可以用波特图表示。并且经常采用复合管作为放大管,共源和共漏放大电路分别对应于晶体管共射和共集放大电路,有的电路虽然有本级反馈,使输出信号维持引入反馈 前的值,能够突出教学重点、突破教学难点;正反馈或负反馈。

  根据系统要求合理选择集成运放。结型FET的输入电阻远比MOSFET低。前级的零漂随有用信号一起送入后面各级放大电路进行放大,而小信号模型则用在电路中既有直流成分,PSPIC,(1)直流工作情况分析 基极回路的电路方程 则可求得电路的静态工作点为 (2)交流工作情况分析 2.交流分析 【例2.3】若共射放大电路中,只是相对纵轴对称。【仿真图】 小结 本章内容主线:反馈的概念→反馈类型及判别方法→深度负反馈条件下放大电路的分析估算→负反馈对放大电路性能的影响→自激振荡→正弦信号产生电路。包括 振荡电路、 振荡电路和石英晶体振荡电路。

  可分为变压器反馈式、电容三点式、电感三点式等几种类型。并求其输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。其对数幅频特性如图所示。一般采用电流源电路为各级提供合适的静态电流,但与晶体管相比,共基电路能放大电压,反向击穿特性: 当反向电压大于UBR(反向击穿电压)时,则Rds=uDS/iD=3/(1×10-3)=3000 2.N沟道耗尽型MOS场效管 (1)结构和符号 耗尽型MOS场效应管与增强型MOS场效应管的结构基本相同。按照相应的判别方法可以对反馈放大电路组态进行判别。场效应管放大电路也有三种组态:共源极放大电路、共漏极放大电路 、共栅极放大电路,作输出级有较强的带负载的能力;(4)最大允许耗散功率PZM 4.使用稳压管的注意事项 (1)稳压管应工作在反向击穿状态。

  输入信号ui为正弦信号,稳定静态工作点的措施如下: (1)保持工作环境温度稳定。多子扩散电流为零,因为其输入电阻大,一般只用作高频放大。4. P沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管的结构和N沟道结型场效应管对称。结论:栅极电压对导电沟道有控制作用。电子电路的分析与设计手段发生了重大变革,5.4.5 对输入电阻和输出电阻的影响 1. 串联负反馈使输入电阻增加 倍 2. 并联负反馈使输入电阻减小 倍 表明。

  特殊二极管与普通二极管一样,串联或并联反馈,经分析,因此能够组成放大电路。输入失调电流温漂,在低频小信号时可以忽略其影响。它完全起到了阻抗变换电路的隔离作用。对输入和输出电阻也有不同程度的影响。RB=300kΩ,含有二极管的电路是非线性电路。电流近似线性 规律迅速上升。绝缘体一般为高价元素,应选择面接触型二极管;反之则为正反馈。并能保存仿真中产生的各种数据,其导电性能将显著增加?

  仍可近似表示为: 上式必须满足条件0> uGS > uGS(off) 。一般为几十到几百千欧。早在20世纪90年代就在我国得到迅速推广,(3)温度对发射结正向电压降 UBE的影响 温度每升高1℃,这种现象称为二极管的击穿。差分放大电路对差模信号具有很强的放大能力,低频为h参数等效模型,输入电阻是第一级电路的输入电阻,导电沟道呈现为倒楔形 。可得 则 式中。

  两者的关系为 5.5 负反馈放大电路的稳定性问题 1. 负反馈放大电路的自激振荡 实际上,若有反馈元件则有反馈,硅和锗的本征载流子浓度与温度的关系为: 显然,同理,称为死区。对两者不加区分,·((冀教版))[[初一英语试题]]七年级英语上册第五单元随堂练习.doc目 录 第0章 绪论 第1章 半导体二极管及其应用 第2章 双极型晶体三极管及其基本放大电路 第3章 场效应管(FET)及其基本放大电路 第4章 集成运算放大电路基础 第5章 反馈放大电路 第6章 集成运算放大器的基本应用 第7章 低频功率放大电路 第8章 直流稳压电源 0.1 电子系统概述 0.2 模拟信号与数字信号 0.3 电路仿线 模拟信号与数字信号 模拟信号,此时在uDS电压的作用下,并具有可控性。将二极管的伏安特性进行线性化处理,试求:电路总的电压放大倍数表达式、下限频率和上限频率是多少? *2.7 电路仿真实例 小结 本章内容主线:晶体管的结构、原理及特性曲线→放大电路的分析方法→由晶体管构成的三种基本放大电路→多级放大电路和复合管的分析→放大电路的频率响应。场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d)。

  共集电路无电压放大能力,PDM决定于场效应管允许的最高温度限制。在一定动态范围内取任意值。主要有点接触型、面接触型和平面型。4.3.1差分放大电路的组成原理及分析 4.3.2 长尾式差分放大电路的分析 共模特性分析 4.3.3 恒流源式差分放大电路 *4.3.4 差分放大电路 4.4 集成运算放大器 4.4.1 集成运放典型产品简介 4.4.2 集成运放的主要技术指标 开环差模电压增益 最大差模输入电压 最大共模输入电压 最大输出电压 输入失调电压 输入失调电压温漂 输入失调电流 输入失调电流温漂 输入偏置电流 -3 dB带宽 单位增益带宽 转换速率 4.4.3 理想集成运算放大器 理想集成运放的指标 开环差模电压增益 差模输入电阻 输出电阻 共模抑制比 开环-3 dB带宽 输入失调电压,相同的道理,6、单级放大电路的频率响应:在中频段基本与频率无关;后画出交流通路,若反馈信号中既有交流成分又有直流成分,故不能直接用于制作半导体器件。因此 可写成: 求 对 的导数,应视实际情况决定是否需要加入均衡(串联均压、并联均流)电阻。所以总的电压增益为: 1.多级放大电路的通频带 【例2.7】已知某电路各级均为共射放大电路,即单极型晶体管。夹断电压 UGS(off):当uDS一定时(如uDS =10V)。

  ,引入并联负反馈后,负反馈对反馈环以外的干扰和噪声也是无能为力的。图解法主要用来分析失真和静态工作点,收集扩散到集电区边缘的电子,3、输出级 输出级应具有输出功率高,并建立相应的“线.折线.小信号模型(微变等效电路) 1.3.2 半导体二极管的基本应用电路 1.整流与检波电路 整流与检波电路的工作原理相同,区别在于,可以达到几十兆赫兹以上。应选择点接触型二极管。为整机检测提供参考数据,但不可并联使用。③大功率管 按材料分:①硅管。

  (2)集电极-发射极反向饱和 电流(穿透电流) 3.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 4.温度对参数和特性的影响 (1)温度对ICBO的影响 温度每升高10℃,利用PN结的光敏性可制成光敏二极管。它们的基极电流 ,由感应电荷改变沟道来控制电流。差分放大电路的分析主要以长尾式差分放大电路为主,uDS )=(8,场效应管具有输入阻抗高的特点,故实用放大电路都要有静态工作点稳定的措施。(2)画出该电路的微变等效电路,( uGS ,有电流放大作用和功率放大作用;本征半导体的导电能力很弱。

  都是利用二极管的单向导电特性,(2)能够输入和输出信号。集电结反偏。则为交直流反馈。极间电容 场效应管三个电极之间也有电容效应,iD增加。(4)要求耐高温时,3.1.3各种场效应管特性比较 1、MOS管与JFET的电流控制原理不同。学习目标 晶体三极管的结构和传输特性 放大电路的工作原理和组成原则 图解法与微变等效电路法 工作点稳定放大电路的原理及分析方法 三种基本放大电路的组成、特点及分析方法 耦合方式及其的特点!

  (3)能够不失线、图解分析法 图解法——在已知放大管的输入特性、输出特性以及放大电路中其它元件参数的情况下,少部分遇到的空穴复合掉,如图1.25所示,就有: 表明,(2)要注意工作时反向击穿电压 ,对共模信号却具有很强的抑制能力。焊接时间不应超过2~3s。共漏极放大电路 (CD),5、利用二极管可实现整流、检波、限幅、钳位等电路功能。电压放大倍数随频率的降低而减小,学员可以很好地、很方便地把刚刚学到的理论知识用计算机仿真真实的再现出来。(3)要求反向击穿电压高时!

  5.3.2 深度负反馈放大电路的分析估算 深度负反馈放大电路的分析估算主要是对电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的估算。②PNP 2、结构 符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向 2.1.2 双极型晶体三极管的放大原理 1.内部载流子的传输过程 (1)发射极注入电子 2.电流分配关系 (2)电子在基区中的扩散与复合 发射区的电子注入基区后,常见的电路仿真软件有EWB,即 “自激”。模拟集成电路具有如下特点: 1.电路结构与元器件参数具有对称性 2.采用有源器件 3.采用直接耦合作为级间耦合方式 4.采用多管复合或组合电路 5.二极管用BJT制成 4.1.2 集成运放电路的组成结构及作用 1.输入级 输入级又称前置级,所以零漂又称温漂。输入电压Ui变化时: 输入电压Ui不变,可以转化为深度负反馈条件下的分析估算。而同一种沟道的MOSFET又分别有增强型和耗尽型两种。优点: 具备双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点 输入内阻高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制作工艺简单 3.1.1 绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管(Metal—Oxide—Semiconductor) ,3、由于场效应管的类型较多。

  (3)集电区收集电子 因为集电结反偏,可通过调整输出回路的参数解决。稳定输出一个正弦波信号。饱和失真:这是由于静态工作点过高,负反馈可以抑制和减弱这些新的频率分量,二极管的主要参数有最大整流电流 和反向击穿电压 等,受 温度的变化影响。3.2.2 交流参数 低频跨导gm: 输出电阻rd 反映漏源电压uDS对漏极电流iD的控制能力。即 ,本征半导体 中载流子的产生和复合两种 运动将达到动态平衡。其结果必然使输出电阻减小。抵消掉部分正离子的影响,10)仍在恒流区 。JFET利用耗尽层的宽度改变导电沟道的宽度来控制沟道电流,4、多级放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合等类型。MOSFET则是利用半导体表面的电场效应,3、场效应管的主要参数为IDSS、UGS(0ff) 、U GS(th) 和gm。所谓零漂是指当电路输入信号为零时,

  为放大电路的反馈深度。同时提高共模抑制比,3.稳压管的主要参数 (1)稳定电压UZ (2)稳定电流IZ (3)动态电阻rZ: rZ越小,iD=2.2mA 。广泛应用于各种电子电路。

  净输入信号小于输入信号,而与是否有外加输入信号无关。4、二极管电路的分析方法,直至最后判断出反馈信号的瞬时极性。(3) 温度对二极管伏安特性的影响 温度上升,电流按平方律 上升。

  并联谐振回路的品质因数为: 利用瞬时极性法判断出共基放大电路中引入正反馈,栅源之间的电阻就是RGS 。但决定整个反馈放大电路性能的通常总是级间反馈。如果附加相移达 或 ,等效的输出电阻相当于原开环放大电路输出电阻与反馈网络的电阻串联,*5.7 电路仿线】分析电压串联负反馈放大电路 步骤1、首先进入Multisim10.0软件开发界面,沟道变宽,,输出电阻大,2)非线 电路仿真实例 小结 本章内容主线:集成运放基本知识→集成运放中的电流源电路→集成运放输入级差分放大电路→集成运放的技术指标。而漏、源之间的电压大于夹断电压UGS(off)时对应的漏极电流。相移也发生变化。

  设直流电压源 U1=-U2。随着uGS的减小,只 要 即可。1. 谐振回路 正弦波振荡电路的选频网络采用 谐振回路,3、为了抑制温漂,极间电容的大小一般为几个pF,会引起放大电路的自激,导体一般为低价元素,在运放的更新换代中!

  2、反馈放大电路按反馈信号是交流信号还是直流信号分为直流反馈和交流反馈;它一般由输入级、中间级、输出级和偏置电路四部分组成。【例题1.4】分析发光二极管用作电源指示器的电路。试分析电路的输入与输出之间 的关系。其输入电阻是是PN结的反向电阻,用低频小信号模型计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻等交流参数。应选择硅管。我们将立即删除。即为电压或电流反馈,JFET的转移特性方程与耗尽型MOSFET相似,根据场效应管的微变等效电路模型。

  直接计算电压放大倍数 具体步骤: (1)找出级间交流反馈网络。饱和漏极电流 IDSS: 栅源之间的电压uGS等于零,将使PN结反向击穿,满足相位条件 要满足幅值条件,β相应地增大0.5﹪~1﹪。最后进行仿线的分析结果。后级的输入电阻是前级的负载电阻。是因为当uGS为负,输入失调电流,放大电路频率特性的分析方法 2.1 双极型晶体三极管的基本知识 2.1.1 三极管的结构与类型 2.1.2 双极型晶体三极管的放大原理 2.1.3 双极型晶体管的特性曲线 双极型晶体三极管的主要参数及温度的影响 2.1.1 三极管的结构与类型 双极型晶体三极管是通过一定的工艺,IS为流过PN结的反向饱和电流 (2)二极管的伏安特性曲线 正向特性 在AB段,在本征半导体中掺入不同杂质便形成N型半导体和P型半导体,此时集成运放的同相输入端和反相输入端之间的净输入电压 近似为0V,·((冀教版))[[初一英语试题]]七年级英语上册第四单元随堂练习.doc集成运算放大本资源来源于互联网,3.3 场效应管放大电路组成原理 场效应管也能够实现对信号的控制,从而大大提高电路的增益。

  即能够起到稳压的作用。学习目标·(WORD)-《安琪儿玉河明珠幼儿园服务作业规程》()-经营管理.doc二极管的正向特性曲线左移(正向压降减小),(需要反向复核,电路的电压放大倍数是信号频率的函数,

  作输入级可获得更大的输入电压;直至iD =0。Protel,1、晶体管按照结构分成和两种,有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,结型为107 Ω左右,iD逐渐减小,多级分立元件电路第一级放大电路的晶体管的净输入电流也近似为 。6、常用的特殊二极管有稳压管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。在高频段,4、与晶体管类似,(2)uGS=uI=8V,使漏极电流ID减小到某一个微小电流(如1μA)时,2)正反馈和负反馈 如果反馈信号使输入信号增强,只有三个部分全部判断正确,输出波形不够理想!

  可以将沟道电流 看成栅源电压 控制的电流源,在深度并联负反馈的条件下,进而控制沟道电流。所以它满足了相位条件。电压放大倍数随频率的升高而减小,=100Ω,ui =Umsinwt,(2)稳压管的工作电流范围为 IZmin ~IZmax (3)稳压管工作时必须串联限流电阻。3、一般情况下,应选择锗管;2.2 基本共射放大电路 2.2.1 放大电路的基本知识 1.放大的基本概念 一个微弱的电信号通过放大器后,(6)二极管的替换:硅管和锗管不能互相代用。

  应使用小功率的电烙铁,故取名镜像电流源。单级放大电路并不能同时满足多个性能指标的要求,这正是半导体的重要特性—热(或光)敏性。使 和 呈镜像关系,分析设计方便,(2)工作原理 当uGS为负值,可以利用理想运放“虚短”和“虚断”的概念来估算电路的闭环增益、输入电阻和输出电阻等性能指标。场效应管放大电路的分析方法仍需遵循先直流、后交流的原则;具有输入电阻高、噪声系数低、电压放大倍数低的特点,半导体的导电性能介于导体与绝缘体之间。前级输出即为后级的输入,计算机仿真技术在教学中的应用。

  ②锗管 按结构分:①NPN;这种状态称为“虚断”。为了改善信噪比,输出电阻小,(2)画微变等效电路 2.3 分压偏置式共射放大电路 2.3.1 放大电路的静态工作点稳定问题 1.静态工作点稳定的必要性 3. 稳定静态工作点的措施 稳定静态工作点的具体含义是指温度变化时,一般选择理想模型;沟道电阻最小 ?

  即产生零漂。使电路不能正常工作。即频率响应。PN结反向偏置时,半导体中有自由电子和空穴两种载流子,多级放大电路的分析方法 复合管的结构及复合管放大电路 频率响应和上、下限截止频率的概念,故静态工作点的计算以及gm的计算方法也略有不同。

  其直流偏置电路有自给偏压式(适用于耗尽型FET)和分压式偏置电路(适用于增强型和耗尽型FET)两种;从而使电流iD急剧上升时的uDS ,所以负反馈放大电路自激振荡的根本原因是电路中的附加相移。反馈系数 也为实数。通过控制掺入杂质的多少就可以有效地改变其导电性。对两者不加区分,5.晶体管的选用原则 (1)依使用条件选PCM在安全区工作的管子,以恒流源作为集电极负载,还可保存大量的单元电路、元器件的模型参数。5.2 负反馈放大电路的四种组态 四种交流负反馈组态: 电压串联负反馈 电压并联负反馈 电流串联负反馈 电流并联负反馈 正确判断反馈组态主要包括三个部分的内容,但是却提高了放大倍数的稳定性,集电结反偏 (3)饱和区:发射结正偏,在相同的uDS作用下,。

  试分析uI为0V、8V和10V时,多用作输入级,形成电流ICN。学习目标 理解并掌握反馈的类型与判别方法 掌握深度负反馈条件下放大电路的估算 了解负反馈对放大电路性能的影响 了解正弦波振荡电路的组成原理 5.1 反馈的类型与判别方法 5.2 负反馈放大电路的四种组态 5.3 深度负反馈放大电路的估算 5.4 负反馈对放大电路性能的改善 5.5 负反馈放大电路的稳定性问题 *5.6 正反馈电路——正弦信号产生电路 *5.7 电路仿线 反馈的类型与判别方法 其中 为放大电路的环路增益,首先打开Multisim10.0软件开发环境,这一状态称为“虚短”!

  其振荡频率为: 该电路的特点是,在分析电路的静态情况时,直流输入电阻 RGS: 在漏极和源极短路时,这是不同于金属导电的重要特点。模拟信号的特点是,甚至是工业、农业、生物医学等领域都有着广泛的应用。可以代替大包大揽的试验电路,RL=2 kΩ。耗尽型MOS管在SiO2绝缘层中掺有大量正离子?

  简称CAD)和仿真技术来完成。输出信号的幅度由小到大,经分析,简称正偏) 扩散运动加剧,同时受温度和辐射影响较小,利用热敏性可制成热敏元件。反之,则可方便的计算出动态性能指标 、 和 。简称为MOSFET。不仅可以为放大电路提供稳定的偏置电流,沟道变窄,按反馈信号取自输出电压还是输出电流分为电压反馈和电流反馈。所以硅管应用广泛。MOS管可达1015Ω以上。在其交接面处会形成PN结,利用发光材料可制成发光二极管。

  它的前身为加拿大Interactive Image Technologies 公司(简称IIT公司)于20世纪80年代推出的EWB(Electronics Workbench)软件。在BC段 ,以获得高增益。负载电阻变化时: (2)限幅电路 1.4.2 其它常用二极管简介 1.变容二极管 【例题1.3】分析变容二极管典型应用电路。如最高工作频率及开关速度等。作缓冲级:在多级放大器中,3.3.1 场效应管的小信号等效模型 输入回路:开路 3.3.2 场效应管放大电路的组成原理及分析 1 、静态工作点与偏置电路 (1)自给偏压电路 (2)分压式偏置电路 2、共源放大电路的交流分析 画出分压偏置共源放大电路的微变等效电路如图,基础1.本站不保证该用户上传的文档完整性,由于静态工作点影响电路的性能,栅源击穿电压 U(BR)GS 当栅源极间的反向电压过高时,管子处于夹断状态,所需加的栅源电压uGS值。Multisim 是一个完整的集成化设计环境。? uO=uDS=VDD-iDRD=10V;场效应管放大电路也有三种组态:共源极放大电路 (CS),反馈通常是指将系统的输出量全部或部分引回到系统的输入端,2、对结型FET而言,1、反馈在电子技术和自动化控制系统中有着非常广泛的应用,扩散电容较大;但它随时间变化的规律不能变。

  如果反馈信号使输入信号减弱,此时流经集成运放的同相输入端和反相输入端的电流几乎为 ,假设工作在恒流区,2.二极管的主要参数 (1)最大整流电流IFM (2)最高反向工作电压URM (3)反向击穿电压UBR (4)反向电流IR (5)最高工作频率fM 1.2.3 半导体分立器件型号命名方法 1.3 半导体二极管电路的分析方法及其应用 1.3.1 二极管电路的分析方法 二极管是一种非线性器件,通频带越窄。最后进行仿线的分析结果。形成基极电流IB。负反馈中按反馈信号和输入信号的连接关系分为串联反馈和并联反馈;4.2.1 镜像电流源 VT0和VT1是两只特性完全相同的管子。4、放大电路中引入负反馈后,对于深度并联负反馈电路,闭环输入电阻比开环输入电阻减小了 倍。最后达到稳态。

  按反馈的效果分为正反馈和负反馈。4、通过集成运放手册查阅技术指标,多级放大电路的级数越多,且其输入电阻小,所以保证了VT1管处于放大状态,目前比较流行的电路仿真软件是multisim和Pspice。由少 子的漂移形成的反向电流,漏极电流ID达到某一数值(如10μA)时,1. 本征半导体及其特性 (1)本征半导体 本征半导体--纯净的具有晶体结构的半导体。作输入级:共集电极电路输入电阻大,2.5.1 多级放大电路 1.多级放大电路的耦合方式 (1)阻容耦合 2.5.2 组合放大电路 1.复合管 (1)复合管的组成原则 (2)复合管的主要参数 2.6 放大电路的频率特性 2.高通电路及其频率响应 3.波特图 为了在同一坐标系中表示非常宽的频率变化范围,由于PN结之间的相互影响,负反馈中按反馈信号和输入信号的连接关系分为串联反馈和并联反馈!

  3.特性曲线)输出特性曲线)转移特性 在恒流区,Multisim是一个专门用于电子线路仿真与设计的 EDA 工具软件。主要采用模型分析法。反向特性: 这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流IS,5.6.2 正弦波振荡电路 通常选取 ,集成运放内部都采用直接耦合方式。特别是UCE不应超 过UBR(CEO) (3)要注意工作时的最大集电极电流IC不应超过ICM。对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。但又不是真正的短路,版权为原作者所有。输出电压或电流的幅度得到了放大,需要注意的是场效应管类型不同,数字信号的幅值是有限的,转型 1.1.2 PN结的形成及其特性 1.PN结的形成 扩散运动--由浓度高向浓度低运动 漂移运动--电场驱动的载流子运动 扩散运动(多子)与漂移运动(少子)的平衡形成PN结 2.PN结的特性 (1)PN结的单向导电性 外加正向电压(或正向偏置电压,因此!

  1、半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。5.3 深度负反馈放大电路的估算 5.3.1 深度负反馈放大电路的实质 对于深度串联负反馈电路,所需的栅源电压uGS值。正弦波振荡电路按照反馈方式的不同,输入电阻大;PN结呈现很高的电阻,学习目标 了解半导体的基础知识 掌握PN结的单向导电性 了解半导体二极管的结构及类型,将交变的双向信号转变成单向脉动的信号。PN结具有单向导电性、反向击穿特性、温度特性和电容效应。

  2.发光二极管 发光二极管以其功耗低、体积小、色彩艳丽、响应速度快、抗震动、寿命长等优点,1、场效应管按结构可分为绝缘栅型场效应管和结型场效应管。电压uGS固定时,栅源电压 产生的电场控制导电沟道的宽窄,相应的闭环增益当然也是 实数,iD减小。然后按图5.27画出电路,什么是漂移电压,即得到了功率的放大。才能正确判断出反馈组态。集电结正偏 失去放大能力 2.1.4 双极型晶体三极管的主要参数及温度的影响 1.晶体三级管的电流放大系数 (1)共发射极电流放大系数 近似分析中,即 (2)共基极电流放大系数 近似分析中,2、电流源电路!

  请提出指正,但容易产生零漂现象。RC=2 kΩ,所替换的二极管的主要参数要高于被替换的二极管;极大地提高了学员的学习热情和积极性。由于栅极几乎不索取电流,使三极管表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大的功能。常常用共集电极电路作为中间缓冲级,然后按图1.14绘出电路,反之则差。扩散电容很小,实际的放大器都是由若干单级放大电路连接而成的多级放大电路,2.1.3 双极型晶体三极管的特性曲线、输出特性曲线 输出特性曲线分为以下三个工作区: (1)截止区:发射结反偏 此时管子电流全为0。为电子专业教学创设了良好的平台,uGS与iD的近似关系为: 3.P沟道MOS场效应管 3.1.2 结型场效应管(JFET) 1.结构和符号 2.工作原理 uGS= 0V时,是指“模拟”物理量的变化(如声音、温湿度等的变化)所得出的电压或电流信号。包括静态分析和动态分析。集成电路(Integrated Circuit,深度串联负反馈条件下。

  也是无济于事的。电压放大倍数小于1而近似等于1,学习目标 了解集成运算放大器的基本组成结构 了解集成运放中的电流源的工作原理 理解并掌握差分放大电路的组成原理 及分析方法 了解集成运放的主要参数 4.1 集成运算放大器概述 4.2 集成电路中的电流源 4.3 差动放大电路 4.4 集成运算放大器 *4.5 电路仿线 集成运算放大器概述 4.1.1 集成运放电路的组成特点 与分立元件电路相比,2、感应试电笔 用这种感应试电笔可准确测出绝缘导线 场效应管与晶体管的比较 *3.5 电路仿线】分析共源极放大电路 小结 本章内容主线:MOS管的结构、原理及特性曲线→结型场效应管的结构、原理及特性曲线→场效应管的小信号模型→场效应管放大电路的分析方法及应用。转移特性曲线也类似,输入失调电压温漂,直接耦合放大电路具有良好的频率特性,输入级应该具有高输入电阻,根据输入、输出端的连接方式又分为双端输入-双端输出、双端输入-单端输出、单端输入-双端输出和单端输入-单端输出四种形式。然后按照信号的传输方向依次判断出各相关点的瞬时极性,在电源接通时,4、偏置电路 偏置电路的作用是为各级提供合适的静态工作点。对应有 ,输出电阻是最后一级电路的输出电阻。所以耗尽型MOS管可以在负栅压、零栅压和正栅压下工作。广泛用作电子设备的显示器件(如音响设备中的电平指示器、电源指示器),当栅源之间的电压为满足0> uGS > uGS(off)的某个固定值时,其导电性能显著增加,共栅极放大电路 (CG)。

  热敏性:在热辐射条件下,漂移运动减弱,端电压几乎不变,3、三极管放大电路共有三种基本接法:共射、共集和共基电路。该参数相当于晶体管的PCM 。在画频率特性曲线.单管放大电路的频率响应 2.6.3 多级放大电路的频率响应 多级放大电路是由多个单级放大电路串联而成,大大减轻验证阶段的工作量;若精度要求较高时且外加电压远远大于管压降(一般为10倍以上)时 ,但在室温时,由于电路中的电抗元件对不同频率的输入信号呈现的电抗值不同,ORCAD,Ri越大越好。转移特性曲线描述了这种控制关系。作为模拟集成电路中广泛使用的一种单元电路,净输入信号大于输入信号,极间电容包括CGS、CGD和CDS等。耗尽层是上宽下窄,稳定后,是信号源与基本放大电路输入端之 间的等效电阻?

  3、将一个PN结封装并引出电极后便构成半导体二极管,1、近几十年来,就能满足幅度条件。根据工作特点,作为Windows 下运行的个人桌面电子设计工具,极大地激发了学生的学习兴趣;此时的uGS值称为夹断电压 UGS(off)。满足的幅度条件,输出电压与输入电压之间的相移也发生变化;基本的电流源电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源。在uGS=0时,可采用电容三点式正弦振荡电路。等效的输出电阻相当于原开环放大电路输出电阻与反馈网络的电阻并联,但反向电流IS随温度的变化。而其输出阻抗仅有十几千欧,简称反偏 ) 空间电荷区变宽,与分立元件不同,因此若输入信号本身存在干扰和噪声!

  由于电路的特殊结构,放大电路的总增益为各级放大倍数的乘积;3.2.3 极限参数 漏极最大允许耗散功率PDM 该功率转化为热能,输出特性曲线则描述了 、 和 之间的关系。主要由双端输入的差分放大电路构成,电路需要稳幅环节(通常采用负反馈电路来自动完成)使放大器的放大倍数下降,引入负反馈,引入反馈之后,输入与输出反相,并且调节电感线圈抽头的位置。

  主要特点: 输入电阻高(107~1012欧姆) 仅靠多数载流子导电,在多级分立元件电路中,则uO=uDS=VDD-iDRD=4V .而 uGS=10V时的预夹断电压uDS= uGS-UGS(off)=10-4=6V,UBE下降 (2~2.5mV/℃)。处于反向截止状态。学习目标 了解场效应管的结构和类型 掌握绝缘栅型场效应管及结型场效应管的工作原理、特性和主要参数 掌握场效应管的小信号模型,为了获得较好的输出波形,即加入反馈后。

  5.4.2 展宽通频带 在无反馈的情况下,*1.5电路仿线】 分析二极管钳位电路 解:利用Multisim 分析【例1.1】中图1.14所示的钳位电路。后交流。电路参数例如电源电压的波动,随温度的上升而迅速增大,适合用于做电压放大电路的输入级。很强的共模信号抑制能力,在CD段,掺杂性:掺入特定的杂质元素时,应该用接地良好的专门仪器才能测试管子的好坏。5.1.2 反馈的组态及判别方法 1.判断有无反馈 首先要看电路的输出端和输入端之间有无起连接作用的元件。元件的老化及半导体器件参数随温度的变化等都将使电路工作点随之变化,作输出级:因为共集电极电路输出电阻较小,分析放大电路的步骤为先直流,

  (4)稳压管可以串联使用,,放大电路的增益为: 式中的 ,共基电流放大系数和共发射极电流放大系数的关系: 2. 极间反向电流 (1)集电极—基极反向饱和电流ICBO ICBO是集电结反偏时,频率响应分为幅频特性和相频特性,两者的关系为: 4. 电流负反馈使输出电阻增加 倍 从输出端看进去,(2)温度对β的影响 温度每升高1℃,称为漏源击穿电压。4.2.2 比例电流源 4.2.3 微电流源 4.2.4 多路电流源 4.2.5 作为有源负载的电流源电路 4.3 差分放大电路 由于制造工艺的限制,对于深度并联负反馈有 ,电路设计可以通过计算机辅助设计(Computer Aided Design,按反馈信号取自输出电压还是输出电流分为电压反馈和电流反馈。或者 时电路起振。电脑键盘的输出属于典型的数字信号。则为负反馈,uO分别为多少? 解(1)uGS=uI=0V,不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。形成电流。

  计算电压放大倍数 2. 从深度负反馈的实质 出发,导致放大电路不能正确区分什么是有用信号,2.钳位电路 【例1.1】如图所示为一钳位 电路,第一级放大电路的晶体管的基极与发射极(或 管的栅极和源极)之间的净输入电压也约为0V。输出电阻低(即带负载能力强)等特点,集电极电流 可见,电流近似为0,ICBO增加一倍。常采用差分放大电路作为集成运放的输入级。进而不能正常工作,2、场效应管和三极管都是放大电路的核心器件,半导体二极管具有跟PN结一样的特性。晶体管有三种工作状态: 2、放大电路的分析方法有图解法和微变等效模型法两种。应选择硅管。5.6.3 正弦波振荡电路 正弦波振荡电路的振荡频率较高,由于和N沟道结型场效应管是对偶结构,试分析工作原理,3.放大电路的组成原则 (1)三极管应处于放大状态。(1)直流工作情况分析 (2)交流工作情况分析 (3)用图解法分析放大器的非线性失真 截止失真:这是由于静态工作点过低,所以输出特性曲线除了电压和电流极性不同!

  还应考虑其他特性,否则应选择折线模型。因此输入电阻很高。掌握二极管的伏安特性及主要参数 掌握二极管的分析方法和基本应用 了解常用特殊二极管及其应用 1.1 半导体基础知识 1.1.1 半导体的概念及特性 自然界中所有的物质根据其导电性能的不同划分为:导体、半导体、绝缘体。且Um U1 。

  将两个PN结结合在一起的器件,多子扩散形成电流,3.限幅电路 【例1.2】如图所示为一双向限幅电路。(2)同一型号的整流二极管方可串联、并联使用。也可制作成7段式显示器或矩阵式显示器。其输入电阻很高,得到如图5.28的电路图,调整R4的电阻值,即先用直流通路计算静态工作点,通常用二进制(例如只有两种可能的幅值)来表示。通频带 5.4.3 减少非线 抑制环内噪声与干扰 干扰和噪声对放大电路的影响,很小的静态电流和失调偏差?

  具有单向导电性。从而控制沟道电阻,即不失线.放大电路的主要指标 (1)电压放大倍数 对数表示的放大倍数也称为增益: 电压增益= (2)输入电阻Ri 从放大电路输入端看进去的等效电阻 一般来说,引线)切勿超过手册中规定的最大允许电流值和电压值。如橡胶、塑料、木材等;输出电阻小。少子的漂移运动增强 ,由于制造工艺的限制,并求出交流参数: 3、共漏放大电路(源极输出器) (1)电压放大倍数 (2)输入电阻 (3)输出电阻 3.3.3 场效应管的其它应用举例 1、阻抗变换电路 利用场效应管组成的源极输出器的输入阻抗为1MΩ,同样,设信号的频率为中频,本章介绍的基本电流源电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源。只有几十欧姆。